Transistor canal N IRF3415, 30A, 43A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V

Transistor canal N IRF3415, 30A, 43A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.08€
5-24
1.85€
25-49
1.64€
50-99
1.46€
100+
1.25€
Quantité en stock: 50

Transistor canal N IRF3415, 30A, 43A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 43A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0042 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 150V. C (in): 2400pF. C (out): 640pF. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 150A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 71 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 260 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45

Documentation technique (PDF)
IRF3415
30 paramètres
Id (T=100°C)
30A
Id (T=25°C)
43A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.0042 Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
150V
C (in)
2400pF
C (out)
640pF
Dissipation de puissance maxi
200W
Fonction
commutation rapide
Id(imp)
150A
Idss (min)
25uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
71 ns
Td(on)
12 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
260 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier