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HUF75344G3

Transistor canal N HUF75344G3, 75A, 250uA, 6.5m Ohms, TO-247, TO-247, 55V. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 6.5m Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 55V. C (in): 3200pF. C (out): 1170pF. Dissipation de puissance maxi: 285W. Fonction: Régulateur à découpage. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75344 G. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 46 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 105 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.46€

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HUF75344P3

Transistor canal N HUF75344P3, TO-220, 75A, 250uA, 0.065 Ohms, TO-220AB, 55V. Boîtier: TO-220. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.065 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. : 'enhanced'. C (in): 3200pF. C (out): 1170pF. Courant de drain: 75A. Dissipation de puissance maxi: 285W. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75344 P. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Puissance: 285W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 46 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 105 ns. Type de canal: N. Type de conditionnement: tubus. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.53€

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HUF75645P3

Transistor canal N HUF75645P3, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 65A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0115 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 3790pF. C (out): 810pF. Dissipation de puissance maxi: 310W. Fonction: UltraFET Power MOSFET. Id(imp): 430A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75645 P. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 41 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 145 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.53€

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HUF75645S3S

Transistor canal N HUF75645S3S, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AB ), 100V. Id (T=100°C): 65A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0115 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-252AB ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 3790pF. C (out): 810pF. Dissipation de puissance maxi: 310W. Fonction: UltraFET Power MOSFET. Id(imp): 430A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75645 S. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 41 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 145 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.41€

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IPB80N06S2-07

Transistor canal N IPB80N06S2-07, 80A, 80A, 100uA, 5.6M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 5.6M Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 3400pF. C (out): 880pF. Dissipation de puissance maxi: 250W. Fonction: Qualifié automobile AEC Q101. Id(imp): 320A. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: 2N0607. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: résistance à l'état passant ultra faible. Td(off): 61 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: transistor MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 55 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V...

3.15€

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IPB80N06S2-08

Transistor canal N IPB80N06S2-08, 80A, 80A, 100uA, 6.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 6.5m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 2860pF. C (out): 740pF. Dissipation de puissance maxi: 215W. Fonction: Qualifié automobile AEC Q101. Id(imp): 320A. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: 2N0608. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: résistance à l'état passant ultra faible. Td(off): 32 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: transistor MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 55 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V...

2.40€

Quantité en stock: 217

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IPB80N06S2-09

Transistor canal N IPB80N06S2-09, 80A, 80A, 100uA, 7.6m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 7.6m Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 2360pF. C (out): 610pF. Dissipation de puissance maxi: 190W. Fonction: Qualifié automobile AEC Q101. Id(imp): 320A. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: 2N0609. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: résistance à l'état passant ultra faible. Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: transistor MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V...

2.74€

Quantité en stock: 159

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IPD034N06N3GATMA1

Transistor canal N IPD034N06N3GATMA1, 100A, 100A, 10uA, 2.8m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), PG-TO252-3 ( DPAK ), 60V. Id (T=100°C): 100A. Id (T=25°C): 100A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 2.8m Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): PG-TO252-3 ( DPAK ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 8000pF. C (out): 1700pF. Dissipation de puissance maxi: 167W. Fonction: High Frequency Switching, Optimized tecnology for DC/DC converters. Id(imp): 400A. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: 034N06N. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 63 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: OptiMOS(TM)3 Power-Transistor. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 48 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.08€

Quantité en stock: 10

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IPI80N06S2-08

Transistor canal N IPI80N06S2-08, 80A, 80A, 100uA, 6.5m Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 55V. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 6.5m Ohms. Boîtier: TO-262 ( I2-PAK ). Boîtier (selon fiche technique): TO-262. Tension Vds(max): 55V. C (in): 2860pF. C (out): 740pF. Dissipation de puissance maxi: 215W. Fonction: Qualifié automobile AEC Q101. Id(imp): 320A. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: 2N0608. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: résistance à l'état passant ultra faible. Td(off): 32 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: transistor MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 55 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V...

2.72€

Quantité en stock: 476

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IRC640

Transistor canal N IRC640, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220FP, HexSense TO-220F-5, 200V. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): HexSense TO-220F-5. Tension Vds(max): 200V. C (in): 130pF. C (out): 430pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: Single FET, Dual Source. Id(imp): 72A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 5. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 45 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.45€

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IRF1010E

Transistor canal N IRF1010E, 59A, 83A, 250uA, 0.12 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Id (T=100°C): 59A. Id (T=25°C): 83A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.12 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. C (in): 2800pF. C (out): 880pF. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: Commutation rapide, résistance à l'état passant ultra faible. Id(imp): 330A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 41 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.85€

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IRF1010N

Transistor canal N IRF1010N, TO-220, 60A, 85A, 250uA, 0.11 Ohms, TO-220AB, 55V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 60A. Id (T=25°C): 85A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.11 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 3210pF. C (out): 690pF. Charge: 80nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 72A. Dissipation de puissance maxi: 180W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 290A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 130W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 1.2K/W. Td(off): 39 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension drain - source: 55V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Trr Diode (Min.): 69 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Utilisation: -55...+175°C. Vgs(th) max.: 4 v...

1.74€

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IRF1310N

Transistor canal N IRF1310N, 30A, 42A, 250uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 42A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.036 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1900pF. C (out): 450pF. Dissipation de puissance maxi: 160W. Fonction: rapport dv/dt dynamique, commutation rapide. Id(imp): 140A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 45 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 180 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.72€

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IRF1324

Transistor canal N IRF1324, TO-220, 249A, 353A, 250uA, 1.2m Ohms, TO-220AB, 24V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 249A. Id (T=25°C): 353A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.2m Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 24V. C (in): 5790pF. C (out): 3440pF. Charge: 160nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 353A. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Sw.. Id(imp): 1412A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 300W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 500mK/W. Td(off): 83 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 24V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 46 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.48€

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IRF1404

Transistor canal N IRF1404, TO-220, 115A, 162A, 250uA, 3.5m Ohms, TO-220AB, 40V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 115A. Id (T=25°C): 162A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3.5m Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 40V. C (in): 7360pF. C (out): 1680pF. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 202A. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 650A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 200W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 750mK/W. Td(off): 72 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 40V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 71 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.45€

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IRF1404S

Transistor canal N IRF1404S, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. Id (T=100°C): 130A. Id (T=25°C): 190A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 2.7M Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 4340pF. C (out): 1030pF. Dissipation de puissance maxi: 220W. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 750A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 36ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 28 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

5.03€

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IRF1404Z

Transistor canal N IRF1404Z, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Id (T=100°C): 130A. Id (T=25°C): 190A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 2.7M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 40V. C (in): 4340pF. C (out): 1030pF. Dissipation de puissance maxi: 220W. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 750A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 36ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 28 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.39€

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IRF1405

Transistor canal N IRF1405, TO-220, 118A, 169A, 250uA, 0.0046 Ohms, TO-220AB, 55V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 118A. Id (T=25°C): 169A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0046 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 5480pF. C (out): 1210pF. Charge: 170nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 133A. Dissipation de puissance maxi: 330W. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 680A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 200W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 450mK/W. Spec info: Rds-on 0.0046 Ohms max. Td(off): 130 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 88 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.69€

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IRF1405ZPBF

Transistor canal N IRF1405ZPBF, 110A, 150A, 250uA, 0.0037 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 110A. Id (T=25°C): 150A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0037 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 4780pF. C (out): 770pF. Dissipation de puissance maxi: 230W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 600A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Rds-on 0.0037 Ohms max. Td(off): 48 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.61€

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IRF1407

Transistor canal N IRF1407, 92A, 130A, 250uA, 0.0078 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. Id (T=100°C): 92A. Id (T=25°C): 130A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0078 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 75V. C (in): 5600pF. C (out): 890pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 330W. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 520A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 150 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil de la diode: 1.3V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.33€

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IRF2804

Transistor canal N IRF2804, 43A, 75A, 250uA, 1.8M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Id (T=100°C): 43A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.8M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 40V. C (in): 6450pF. C (out): 1690pF. Dissipation de puissance maxi: 330W. Fonction: Commutation rapide, applications automobiles. Id(imp): 1080A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 130 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 56 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.89€

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IRF2805

Transistor canal N IRF2805, 43A, 75A, 250uA, 3.9m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 43A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3.9m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 5110pF. C (out): 1190pF. Dissipation de puissance maxi: 330W. Fonction: Commutation rapide, applications automobiles. Id(imp): 700A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 68 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.97€

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IRF2807

Transistor canal N IRF2807, 43A, 82A, 250uA, 13m Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. Id (T=100°C): 43A. Id (T=25°C): 82A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 13m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 75V. C (in): 3850pF. C (out): 610pF. Dissipation de puissance maxi: 230W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 280A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 49 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.88€

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IRF3205

Transistor canal N IRF3205, 80A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 3247pF. C (out): 781pF. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: 'Advanced Process Technology'. Id(imp): 390A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 50 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 69 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.01€

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