Transistor canal N IRF2805, 43A, 75A, 250uA, 3.9m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

Transistor canal N IRF2805, 43A, 75A, 250uA, 3.9m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.94€
5-24
2.62€
25-49
2.38€
50-99
2.21€
100+
1.92€
Quantité en stock: 57

Transistor canal N IRF2805, 43A, 75A, 250uA, 3.9m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 43A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3.9m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 5110pF. C (out): 1190pF. Dissipation de puissance maxi: 330W. Fonction: Commutation rapide, applications automobiles. Id(imp): 700A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 68 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45

Documentation technique (PDF)
IRF2805
30 paramètres
Id (T=100°C)
43A
Id (T=25°C)
75A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
3.9m Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
55V
C (in)
5110pF
C (out)
1190pF
Dissipation de puissance maxi
330W
Fonction
Commutation rapide, applications automobiles
Id(imp)
700A
Idss (min)
20uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
68 ns
Td(on)
14 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
80 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier