Transistor canal N IRF1405, TO-220, 118A, 169A, 250uA, 0.0046 Ohms, TO-220AB, 55V

Transistor canal N IRF1405, TO-220, 118A, 169A, 250uA, 0.0046 Ohms, TO-220AB, 55V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.66€
5-24
2.28€
25-49
2.02€
50-99
1.83€
100+
1.58€
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Transistor canal N IRF1405, TO-220, 118A, 169A, 250uA, 0.0046 Ohms, TO-220AB, 55V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 118A. Id (T=25°C): 169A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0046 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 5480pF. C (out): 1210pF. Charge: 170nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 133A. Dissipation de puissance maxi: 330W. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 680A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 200W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 450mK/W. Spec info: Rds-on 0.0046 Ohms max. Td(off): 130 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 88 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45

Documentation technique (PDF)
IRF1405
39 paramètres
Boîtier
TO-220
Id (T=100°C)
118A
Id (T=25°C)
169A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.0046 Ohms
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
55V
C (in)
5480pF
C (out)
1210pF
Charge
170nC
Conditionnement
tubus
Courant de drain
133A
Dissipation de puissance maxi
330W
Fonction
AUTOMOTIVE MOSFET
Id(imp)
680A
Idss (min)
20uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Polarité
unipolaire
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Puissance
200W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance thermique du boîtier
450mK/W
Spec info
Rds-on 0.0046 Ohms max
Td(off)
130 ns
Td(on)
13 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension drain - source
55V
Tension grille-source
20V, ±20V
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
88 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier