Transistor canal N IRF1405ZPBF, 110A, 150A, 250uA, 0.0037 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

Transistor canal N IRF1405ZPBF, 110A, 150A, 250uA, 0.0037 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.58€
5-24
2.18€
25-49
1.91€
50-99
1.74€
100+
1.49€
Quantité en stock: 63

Transistor canal N IRF1405ZPBF, 110A, 150A, 250uA, 0.0037 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 110A. Id (T=25°C): 150A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0037 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 4780pF. C (out): 770pF. Dissipation de puissance maxi: 230W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 600A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Rds-on 0.0037 Ohms max. Td(off): 48 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45

IRF1405ZPBF
31 paramètres
Id (T=100°C)
110A
Id (T=25°C)
150A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.0037 Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
55V
C (in)
4780pF
C (out)
770pF
Dissipation de puissance maxi
230W
Fonction
commutation rapide
Id(imp)
600A
Idss (min)
20uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
Rds-on 0.0037 Ohms max
Td(off)
48 ns
Td(on)
18 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
30 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Infineon Technologies