Transistor canal N IRF1010E, 59A, 83A, 250uA, 0.12 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. Id (T=100°C): 59A. Id (T=25°C): 83A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.12 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 60V. C (in): 2800pF. C (out): 880pF. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: Commutation rapide, résistance à l'état passant ultra faible. Id(imp): 330A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 41 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45