Transistor canal N IRF1324, TO-220, 249A, 353A, 250uA, 1.2m Ohms, TO-220AB, 24V
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Transistor canal N IRF1324, TO-220, 249A, 353A, 250uA, 1.2m Ohms, TO-220AB, 24V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 249A. Id (T=25°C): 353A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.2m Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 24V. C (in): 5790pF. C (out): 3440pF. Charge: 160nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 353A. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Sw.. Id(imp): 1412A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 300W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 500mK/W. Td(off): 83 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 24V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 46 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45