Transistor canal N IRC640, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220FP, HexSense TO-220F-5, 200V. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): HexSense TO-220F-5. Tension Vds(max): 200V. C (in): 130pF. C (out): 430pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: Single FET, Dual Source. Id(imp): 72A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 5. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 45 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45