Transistor canal N IRF2807, 43A, 82A, 250uA, 13m Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V

Transistor canal N IRF2807, 43A, 82A, 250uA, 13m Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.85€
5-24
1.59€
25-49
1.40€
50-99
1.25€
100+
1.09€
Quantité en stock: 68

Transistor canal N IRF2807, 43A, 82A, 250uA, 13m Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. Id (T=100°C): 43A. Id (T=25°C): 82A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 13m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 75V. C (in): 3850pF. C (out): 610pF. Dissipation de puissance maxi: 230W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 280A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 49 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45

Documentation technique (PDF)
IRF2807
30 paramètres
Id (T=100°C)
43A
Id (T=25°C)
82A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
13m Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
75V
C (in)
3850pF
C (out)
610pF
Dissipation de puissance maxi
230W
Fonction
commutation rapide
Id(imp)
280A
Idss (min)
25uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
49 ns
Td(on)
13 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
100 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier