Transistor canal N HUF75645P3, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Transistor canal N HUF75645P3, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Quantité
Prix unitaire
1-4
3.48€
5-24
3.03€
25-49
2.74€
50+
2.48€
Quantité en stock: 48

Transistor canal N HUF75645P3, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 65A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0115 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 3790pF. C (out): 810pF. Dissipation de puissance maxi: 310W. Fonction: UltraFET Power MOSFET. Id(imp): 430A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 75645 P. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 41 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 145 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45

HUF75645P3
31 paramètres
Id (T=100°C)
65A
Id (T=25°C)
75A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.0115 Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
100V
C (in)
3790pF
C (out)
810pF
Dissipation de puissance maxi
310W
Fonction
UltraFET Power MOSFET
Id(imp)
430A
Idss (min)
1uA
Marquage sur le boîtier
75645 P
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
2
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
41 ns
Td(on)
14 ns
Technologie
UltraFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
145 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Fairchild