Transistor canal N IRF1010N, TO-220, 60A, 85A, 250uA, 0.11 Ohms, TO-220AB, 55V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 60A. Id (T=25°C): 85A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.11 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 3210pF. C (out): 690pF. Charge: 80nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 72A. Dissipation de puissance maxi: 180W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 290A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 130W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 1.2K/W. Td(off): 39 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension drain - source: 55V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Trr Diode (Min.): 69 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Utilisation: -55...+175°C. Vgs(th) max.: 4 v. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45