IRF730
Transistor canal N IRF730, TO-220, 400V, 3.3A, 5.5A, 250uA, 1 Ohm, TO-220AB, 400V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Id (T=100°C): 3.3A. Id (T=25°C): 5.5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 400V. C (in): 700pF. C (out): 170pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 530pF. Charge: 38nC. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 5.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ 5.5A. Courant de drain: 3.5A, 5.5A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Dissipation maximale Ptot [W]: 74W. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 22A. Idss (min): 25uA. Marquage du fabricant: IRF730. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Puissance: 74W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 1 Ohm. Td(off): 38 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension drain - source: 400V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 270 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...
1.20€
