Transistor canal N IRF7301PBF, SO8, 20V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 20V. Capacité de grille Ciss [pF]: 660pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 4.1A/4.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.05 Ohms @ 2.6A/2.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 32 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F7301. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14