Transistor canal N IRF7313, SO, SO-8
Quantité
Prix unitaire
1-4
0.93€
5-49
0.78€
50-99
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100-199
0.62€
200+
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Transistor canal N IRF7313, SO, SO-8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Charge: 22nC. Courant de drain: 6.5A. Equivalences: IRF7313PBF. Fonction: transistor MOSFET N. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Polarité: unipolaire. Puissance: 2W. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Résistance thermique: 62.5K/W. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 30V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Type de transistor: HEXFET, N-MOSFET x2. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14
IRF7313
18 paramètres
Boîtier
SO
Boîtier (selon fiche technique)
SO-8
Charge
22nC
Courant de drain
6.5A
Equivalences
IRF7313PBF
Fonction
transistor MOSFET N
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
8
Polarité
unipolaire
Puissance
2W
Quantité par boîtier
2
RoHS
oui
Résistance thermique
62.5K/W
Technologie
HEXFET®
Tension drain - source
30V
Tension grille-source
20V, ±20V
Type de transistor
HEXFET, N-MOSFET x2
Produit d'origine constructeur
Infineon Technologies