Recherche de produit: resistance 680 ohms 5w sqp5 680r

IRF1404S

Transistor canal N IRF1404S, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. Id (T=100°C): 130A. Id (T=25°C): 190A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 2.7M Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 4340pF. C (out): 1030pF. Dissipation de puissance maxi: 220W. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 750A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 36ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 28 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

5.03€

Quantité en stock: 15

IRF1404SPBF

Transistor canal N IRF1404SPBF, D²-PAK, TO-263, 40V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Capacité de grille Ciss [pF]: 7360pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 162A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 95A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 72 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F1404S. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 17 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

7.10€

Quantité en stock: 276

IRF1404Z

Transistor canal N IRF1404Z, 130A, 190A, 250uA, 2.7M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Id (T=100°C): 130A. Id (T=25°C): 190A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 2.7M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 40V. C (in): 4340pF. C (out): 1030pF. Dissipation de puissance maxi: 220W. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 750A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 36ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 28 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.39€

Quantité en stock: 65

IRF1405

Transistor canal N IRF1405, TO-220, 118A, 169A, 250uA, 0.0046 Ohms, TO-220AB, 55V. Boîtier: TO-220. Id (T=100°C): 118A. Id (T=25°C): 169A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0046 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 5480pF. C (out): 1210pF. Charge: 170nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 133A. Dissipation de puissance maxi: 330W. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 680A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 200W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 450mK/W. Spec info: Rds-on 0.0046 Ohms max. Td(off): 130 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 88 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.69€

+5 rapidement
Quantité en stock: 95

IRF1405PBF

Transistor canal N IRF1405PBF, TO-220, 55V, 0.0053 Ohms, 55V. Boîtier: TO-220. Tension drain - source (Vds): 55V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.0053 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 5480pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 169A. Courant de drain maxi: 169A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0053 Ohms @ 101A. Dissipation maximale Ptot [W]: 330W. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF1405PBF. Nombre de bornes: 3. Puissance: 150W. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

4.97€

+43 rapidement
Quantité en stock: 326

IRF1405ZPBF

Transistor canal N IRF1405ZPBF, 110A, 150A, 250uA, 0.0037 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 110A. Id (T=25°C): 150A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0037 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 4780pF. C (out): 770pF. Dissipation de puissance maxi: 230W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 600A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Rds-on 0.0037 Ohms max. Td(off): 48 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.61€

Quantité en stock: 63

IRF1407

Transistor canal N IRF1407, 92A, 130A, 250uA, 0.0078 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. Id (T=100°C): 92A. Id (T=25°C): 130A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0078 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 75V. C (in): 5600pF. C (out): 890pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 330W. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 520A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 150 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil de la diode: 1.3V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.33€

Quantité en stock: 69

IRF2804

Transistor canal N IRF2804, 43A, 75A, 250uA, 1.8M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Id (T=100°C): 43A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.8M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 40V. C (in): 6450pF. C (out): 1690pF. Dissipation de puissance maxi: 330W. Fonction: Commutation rapide, applications automobiles. Id(imp): 1080A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 130 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 56 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.89€

Quantité en stock: 65

IRF2805

Transistor canal N IRF2805, 43A, 75A, 250uA, 3.9m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 43A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3.9m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 5110pF. C (out): 1190pF. Dissipation de puissance maxi: 330W. Fonction: Commutation rapide, applications automobiles. Id(imp): 700A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 68 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.97€

Quantité en stock: 47

IRF2807

Transistor canal N IRF2807, 43A, 82A, 250uA, 13m Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. Id (T=100°C): 43A. Id (T=25°C): 82A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 13m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 75V. C (in): 3850pF. C (out): 610pF. Dissipation de puissance maxi: 230W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 280A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 49 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.88€

Quantité en stock: 68

IRF2807PBF

Transistor canal N IRF2807PBF, TO-220., 75V, 0.013 Ohms, 75V. Boîtier: TO-220.. Tension drain - source (Vds): 75V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.013 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 75V. Capacité de grille Ciss [pF]: 3820pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 82A. Courant de drain maxi: 82A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ 43A. Dissipation maximale Ptot [W]: 230W. Délai de coupure tf[nsec.]: 49 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF2807PBF. Nombre de bornes: 3. Puissance: 200W. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

2.36€

+25 rapidement
Quantité en stock: 133

IRF2807SPBF

Transistor canal N IRF2807SPBF, D²-PAK, TO-263, 75V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 75V. Capacité de grille Ciss [pF]: 3820pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 82A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ 43A. Dissipation maximale Ptot [W]: 230W. Délai de coupure tf[nsec.]: 49 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F2807S. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

2.95€

Quantité en stock: 73

IRF2903Z

Transistor canal N IRF2903Z, 180A, 260A, 260A, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. Id (T=100°C): 180A. Id (T=25°C): 260A. Idss (maxi): 260A. Résistance passante Rds On: 0.019 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 290W. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

3.45€

Quantité en stock: 14

IRF2903ZS

Transistor canal N IRF2903ZS, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Id (T=100°C): 180A. Id (T=25°C): 260A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.019 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 6320pF. C (out): 1980pF. Dissipation de puissance maxi: 290W. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 1020A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 48 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.88€

Quantité en stock: 7

IRF2907Z

Transistor canal N IRF2907Z, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. Id (T=100°C): 60.4k Ohms. Id (T=25°C): 170A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.035 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 75V. C (in): 7500pF. C (out): 970pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 330W. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 680A. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: IRF2907Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 97 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 41 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 2V...

4.18€

Quantité en stock: 97

IRF2907ZS-7P

Transistor canal N IRF2907ZS-7P, 60.4k Ohms, 180A, 180A, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220AB ( AUIRF2907ZS-7PPBF ), 75V. Id (T=100°C): 60.4k Ohms. Id (T=25°C): 180A. Idss (maxi): 180A. Résistance passante Rds On: 0.03 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( AUIRF2907ZS-7PPBF ). Tension Vds(max): 75V. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

5.69€

Quantité en stock: 32

IRF3205

Transistor canal N IRF3205, 80A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 3247pF. C (out): 781pF. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: 'Advanced Process Technology'. Id(imp): 390A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 50 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 69 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.01€

Quantité en stock: 182

IRF3205PBF

Transistor canal N IRF3205PBF, TO220AB, 55V, 55V. Boîtier: TO220AB. Vdss (tension drain à source): 55V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 3247pF. Charge: 97.3nC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 98A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Courant de drain: 110A. Dissipation de puissance maxi: 200W. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Délai de coupure tf[nsec.]: 50 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 110A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRF3205PBF. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: unipolaire. Puissance: 150W. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 1K/W. Série: HEXFET. Technologie: HEXFET®. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +175°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de montage: THT. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET...

2.55€

+100 rapidement
Quantité en stock: 1481

IRF3205S

Transistor canal N IRF3205S, 80A, 110A, 250nA, 0.008 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 250nA. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 3247pF. C (out): 781pF. Dissipation de puissance maxi: 200W. Equivalences: IRF3205SPBF. Fonction: 'Advanced Process Technology'. Id(imp): 390A. Idss (min): 25nA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 50 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 69 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

2.00€

Quantité en stock: 100

IRF3205STRLPBF

Transistor canal N IRF3205STRLPBF, D²-PAK, TO-263, 55V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 3247pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 98A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Délai de coupure tf[nsec.]: 50 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F3205S. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

2.07€

+484 rapidement
Quantité en stock: 1002

IRF3205Z

Transistor canal N IRF3205Z, 75A, 110A, 250uA, 4.9m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 4.9m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 3450pF. C (out): 550pF. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: 'Advanced Process Technology'. Id(imp): 440A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Td(off): 45 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 28 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.41€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 181

IRF3315

Transistor canal N IRF3315, 19A, 27A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Id (T=100°C): 19A. Id (T=25°C): 27A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 150V. C (in): 1300pF. C (out): 300pF. Dissipation de puissance maxi: 136W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 108A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 49 ns. Td(on): 9.6 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 174 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

1.71€

Quantité en stock: 83

IRF3415

Transistor canal N IRF3415, 30A, 43A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 43A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0042 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 150V. C (in): 2400pF. C (out): 640pF. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 150A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 71 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 260 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.10€

Quantité en stock: 48

IRF3710

Transistor canal N IRF3710, 28A, 57A, 250uA, 23m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 28A. Id (T=25°C): 57A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 23m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 3230pF. C (out): 420pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 200W. Id(imp): 180A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(off): 49 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...