Transistor canal N IRF2907Z, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V

Transistor canal N IRF2907Z, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V

Quantité
Prix unitaire
1-4
4.13€
5-24
3.65€
25-49
3.08€
50+
2.77€
Quantité en stock: 97

Transistor canal N IRF2907Z, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. Id (T=100°C): 60.4k Ohms. Id (T=25°C): 170A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.035 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 75V. C (in): 7500pF. C (out): 970pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 330W. Fonction: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 680A. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: IRF2907Z. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 97 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 41 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45

Documentation technique (PDF)
IRF2907Z
32 paramètres
Id (T=100°C)
60.4k Ohms
Id (T=25°C)
170A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.035 Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
75V
C (in)
7500pF
C (out)
970pF
Conditionnement
tube en plastique
Dissipation de puissance maxi
330W
Fonction
AUTOMOTIVE MOSFET
Id(imp)
680A
Idss (min)
20uA
Marquage sur le boîtier
IRF2907Z
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
97 ns
Td(on)
19 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
41 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
50
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier