Transistor canal N IRF3205PBF, TO220AB, 55V, 55V. Boîtier: TO220AB. Vdss (tension drain à source): 55V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 3247pF. Charge: 97.3nC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 98A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Courant de drain: 110A. Dissipation de puissance maxi: 200W. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Délai de coupure tf[nsec.]: 50 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 110A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRF3205PBF. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: unipolaire. Puissance: 150W. RoHS: oui. Résistance thermique du boîtier: 1K/W. Série: HEXFET. Technologie: HEXFET®. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +175°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension drain - source: 55V. Tension grille-source: 20V, ±20V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de montage: THT. Type de transistor: N-MOSFET, HEXFET. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45