Transistor canal N IRF1405PBF, TO-220, 55V, 0.0053 Ohms, 55V

Transistor canal N IRF1405PBF, TO-220, 55V, 0.0053 Ohms, 55V

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Transistor canal N IRF1405PBF, TO-220, 55V, 0.0053 Ohms, 55V. Boîtier: TO-220. Tension drain - source (Vds): 55V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.0053 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 5480pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 169A. Courant de drain maxi: 169A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0053 Ohms @ 101A. Dissipation maximale Ptot [W]: 330W. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF1405PBF. Nombre de bornes: 3. Puissance: 150W. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45

Documentation technique (PDF)
IRF1405PBF
22 paramètres
Boîtier
TO-220
Tension drain - source (Vds)
55V
Résistance passante Rds On
0.0053 Ohms
Tension drain-source Uds [V]
55V
Capacité de grille Ciss [pF]
5480pF
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de drain Id (A) @ 25°C
169A
Courant de drain maxi
169A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.0053 Ohms @ 101A
Dissipation maximale Ptot [W]
330W
Délai de coupure tf[nsec.]
130 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
IRF1405PBF
Nombre de bornes
3
Puissance
150W
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
13 ns
Température maxi
+175°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
4 v
Type de canal
N
Type de transistor
transistor de puissance MOSFET
Produit d'origine constructeur
International Rectifier