Transistor canal N IRF3315, 19A, 27A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Id (T=100°C): 19A. Id (T=25°C): 27A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.07 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 150V. C (in): 1300pF. C (out): 300pF. Dissipation de puissance maxi: 136W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 108A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 49 ns. Td(on): 9.6 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 174 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45