Transistors

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FDH45N50F. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 45A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 140 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 215 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 6630pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id (T=25°C): 7.5A. Idss (maxi): 7.5A. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: double transistor MOSFET canal N. 30V. 'PowerTrench MOSFET'. Boîtier: SMD. Boîtier (selon fiche technique): Power-56-8. Tension Vds(max): 30 v. Quantité par boîtier: 2. Fonction: 7.5A, Rds-on 0.013 Ohms (Q1). Spec info: 7.5A, Rds-on 0.0215 Ohms (Q2)

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 306. Tension drain-source Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ -2.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 61 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1138pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 451pF. C (out): 75pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Gestion de la batterie. Id(imp): 5A. Id (T=25°C): 1.6A. Idss (maxi): 0.1uA. Idss (min): n/a. Remarque: sérigraphie/code CMS 338. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Résistance passante Rds On: 0.088 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 16 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Specified PowerTrench MOSFET. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 20V. Tension grille/source Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.4V

Transistor. C (in): 182pF. C (out): 56pF. Type de canal: P. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Single P-Channel, Logic Level. Id(imp): 5A. Id (T=25°C): 1.5A. Idss: 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 358. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Résistance passante Rds On: 0.105 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: PowerTrench MOSFET. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 618. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.25A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.185 Ohms @ -1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.5 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 16.5 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 430pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 2200pF. C (out): 330pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 72A. Id (T=100°C): 10.8A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 235W. Résistance passante Rds On: 0.22 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 95 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: N-Channel MOSFET (UniFET). Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Faible charge de grille (45nC typique). Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Résistance passante Rds On: 0.016 Ohms. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Courant de drain maxi: 79A. Puissance: 310W. Boîtier: TO-220AB. Fonction: convertisseur de tension DC/DC et onduleurs UPS. Id(imp): 80A. Id (T=100°C): 56A. Id (T=25°C): 79A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 310W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 39 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 150V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Tension drain - source (Vds): 150V. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 6000pF. C (out): 820pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 64 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: convertisseur de tension DC/DC et onduleurs UPS. Id(imp): 80A. Id (T=100°C): 57A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 310W. Résistance passante Rds On: 0.009 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 90 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2880pF. C (out): 3990pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 62 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: convertisseur de tension DC/DC et onduleurs UPS. Id(imp): 60.4k Ohms. Id (T=100°C): 43A. Id (T=25°C): 61A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 26 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 945pF. C (out): 155pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 315 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 46A. Id (T=100°C): 6.9A. Id (T=25°C): 11.5A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 42W. Résistance passante Rds On: 0.46 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: UniFET TM II MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Faible charge de grille (23nC typique), Low Crss 14pF. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 480pF. C (out): 66pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 20A. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 28W. Résistance passante Rds On: 1.15 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 28 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: UniFET MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Faible charge de grille (11nC typique), Low Crss 5pF. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 720pF. C (out): 95pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 40 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 20A. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 31.5W. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 6 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: UniFET Ultra FRMOS MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Faible charge de grille (12nC typique), Low Crss 9pF. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1604pF. C (out): 408pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 1uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.015 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 42 ns. Td(on): 13 ns. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: canal P. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2010pF. C (out): 590pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 36ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.015 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 100 ns. Td(on): 12 ns. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: canal P. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1385pF. C (out): 275pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 29 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: contrôleur de charge batterie. Id(imp): 50A. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 10 ns. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: canal P. Spec info: Niveau de protection ESD HBM de 3.8kV. Protection drain-source: non. Protection G-S: oui

Transistor. Type de canal: N-P. Conditionnement: rouleau. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: omplementary PowerTrench MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.042 Ohms (Q1), 0.082 Ohms (Q2). Unité de conditionnement: 2500. Spec info: transistor canal N (Q1), transistor canal P (Q2)

Transistor. Type de canal: P. Fonction: Double MOSFET à canal P. PowerTrench. 30V. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Quantité par boîtier: 2. Technologie: canal P. Spec info: td(on) 13ns, td(off) 48ns

Transistor. Type de canal: P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1.6W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Technologie: canal P. Spec info: td(on) 12ns, td(off) 68ns

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: FDS6670A. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 13A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 19 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 64 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2220pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ -11A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 200 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2470pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Boîtier (norme JEDEC): 1. Marquage du fabricant: Gamme VGS étendue (-25V) pour les applications fonctionnant sur batterie. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 120ns. Td(on): 3 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: FDS6675BZ

Transistor. C (in): 2890pF. C (out): 500pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 40 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 65A. Id (T=100°C): n/a. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 1uA. Idss (min): n/a. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 7.7m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 210 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. C (in): 1205pF. C (out): 290pF. Type de canal: N. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 2500. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 24 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 9.8m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 28 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Fonction: commande par niveau logique. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): 8.2A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: FDS6900AS. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8.2A/6.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms / 0.038 Ohms @ 8.2/6.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 29 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 570pF/600pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: FDS6912. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6A/6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms/0.028 Ohms @ 6A/6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 29 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 740pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C