Transistor FDS6675BZ

Transistor FDS6675BZ. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ -11A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 200 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2470pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Boîtier (norme JEDEC): 1. Marquage du fabricant: Gamme VGS étendue (-25V) pour les applications fonctionnant sur batterie. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 120ns. Td(on): 3 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: FDS6675BZ. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 04:25.