Transistor FDH45N50F-F133

Transistor FDH45N50F-F133. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FDH45N50F. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 45A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 140 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 215 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 6630pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 04:25.