Transistor FDN358P

Transistor FDN358P. Transistor. C (in): 182pF. C (out): 56pF. Type de canal: P. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Single P-Channel, Logic Level. Id(imp): 5A. Id (T=25°C): 1.5A. Idss: 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 358. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Résistance passante Rds On: 0.105 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: PowerTrench MOSFET. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 04:25.