Transistor FDS6900AS

Transistor FDS6900AS. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): 8.2A. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: FDS6900AS. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8.2A/6.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms / 0.038 Ohms @ 8.2/6.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 29 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 570pF/600pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 04:25.