Transistors

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Fonction: P-FET S. Id (T=25°C): 6mA. Idss (maxi): 6mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-18

Transistor. C (out): 4pF. Unité de conditionnement: 2000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 100mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 4.5V. Fonction: pré-amplificateur HI-FI à faible bruit. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N5401. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 160V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: 2N5401

Transistor. C (in): 75pF. C (out): 15pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 30. Courant de collecteur: 1A. Nombre de connexions: 3. Température: +200°C. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Type de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Vebo: 4 v. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (in): 75pF. C (out): 15pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse et amplificateur linéaire. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 30. Courant de collecteur: 1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 10W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Vebo: 6V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (in): 4.5pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: JFET. Fonction: Uni sym. Idss (maxi): 9mA. Idss (min): 2mA. IGF: 10mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: transistor JFET pour usage général. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 25V. Tension grille/source Vgs: 3.5V. Tension grille/source VGS (off) max.: 7V. Tension grille/source VGS (off) min.: 1V. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2250pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 53 ns. Type de transistor: FET. Fonction: Uni sym. Idss (maxi): 16mA. Idss (min): 4mA. IGF: 10mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 4mA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: transistor JFET pour usage général. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 25V. Tension grille/source Vgs: 4.5V. Tension grille/source VGS (off) max.: 8V. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 5pF. C (out): 2pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: JFET. Idss (maxi): 5mA. Idss (min): 1mA. IGF: 10mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 350mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: J-FET. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 25V. Vgs(th) min.: 3V. Fonction: amplificateur VHF/UHF, RF

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: TO-92. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-92. C (out): 6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 80. Courant de collecteur: 0.6A. Ic(puls): +150°C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Vebo: 6V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 5551. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 160V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 25A. Ic(puls): 50A. Nombre de connexions: 2. Température: +200°C. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N5886

Transistor. C (out): 500pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 25A. Ic(puls): 50A. Nombre de connexions: 2. Température: +200°C. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N5884. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N5886G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: PUT.. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Température de fonctionnement: -50...+100°C. Spec info: transistor unijonction programmable

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor bipolaire, monocouche (PUT). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N6027G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 150mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: PUT.. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Température de fonctionnement: -50...+100°C. Spec info: transistor unijonction programmable

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: PUT.. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Température de fonctionnement: -50...+100°C. Spec info: transistor unijonction programmable

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor bipolaire, monocouche (PUT). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N6028G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 150mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE mini: 750. Courant de collecteur: 12A. Remarque: b>750. Dissipation de puissance maxi: 150W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 175 MHz. Fonction: VHF-O Tr. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 12W. Boîtier (selon fiche technique): M135. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 36V. Spec info: SD1012. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Courant de collecteur: 7A. Remarque: hFE 20. Dissipation de puissance maxi: 40W. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Spec info: TO-220AB

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Courant de collecteur: 2A. Dissipation de puissance maxi: 35W. Type de transistor: PNP. Vcbo: 275V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 225V

Transistor. Résistance BE: 8k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). C (out): 400pF. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: hFE 750...180000. Gain hFE maxi: 18000. Gain hFE mini: 750. Courant de collecteur: 20A. Ic(puls): 40A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Poids: 11.8g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N6287. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N6287G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20A. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 5 MHz. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 4A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-66. Boîtier (selon fiche technique): TO-66. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 130V. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Vebo: 5V