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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor 2N6059. Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE mini: 750. Courant de collecteur: 12A. Remarque: b>750. Dissipation de puissance maxi: 150W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 12:25.

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Transistor. Résistance BE: 8k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). C (out): 400pF. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: hFE 750...180000. Gain hFE maxi: 18000. Gain hFE mini: 750. Courant de collecteur: 20A. Ic(puls): 40A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Poids: 11.8g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N6287. Diode BE: non. Diode CE: oui
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