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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor 2N5210. Transistor. C (out): 4pF. Unité de conditionnement: 2000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 100mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 4.5V. Fonction: pré-amplificateur HI-FI à faible bruit. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 12:25.

Documentation technique

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