Transistor 2N5886G

Transistor 2N5886G. Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N5886G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 12:25.