Transistor 2N5886

Transistor 2N5886. Transistor. C (out): 500pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 25A. Ic(puls): 50A. Nombre de connexions: 2. Température: +200°C. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N5884. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 12:25.