Transistors

Transistor. C (in): 30pF. C (out): 8.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Courant de collecteur: 30A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ802G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 90V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Courant de collecteur: -6A. Puissance: 20W. Fréquence maxi: 3MHz. Boîtier: I-PAK

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: J44H11. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 85 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: J44H11. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 85 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor. C (out): 45pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 85 MHz. Fonction: Transistors de puissance complémentaires. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: 44H11G. Equivalences: MJD44H11G, MJD44H11J. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 20W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Tf (type): 140 ns. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): DPAK CASE 369C. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJD45H11T4G. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: J45H11. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 90 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP

Transistor. C (out): 45pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 85 MHz. Fonction: Transistors de puissance complémentaires. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: 45H11G. Equivalences: MJD45H11G, MJD45H11J. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 20W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Tf (type): 140 ns. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): DPAK CASE 369C. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJD45H11T4G. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 3pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: S-L. Courant de collecteur: 4A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 80pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 14 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 8. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor de puissance bipolaire. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Vebo: 9V. Spec info: Commutation à haute vitesse. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 3pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 14 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 8. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor de puissance bipolaire. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Vebo: 9V. Spec info: Commutation à haute vitesse. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Marquage du fabricant: MJE13007G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 80W. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 400V. Courant de collecteur: 8A. Puissance: 80W. Fréquence maxi: 14 MHz. Boîtier: TO-220AB. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE13009G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 12A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 100W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: pour amplificateur audio. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15031. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 150V. Puissance: 50W. Fréquence maxi: 30MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: pour amplificateur audio. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15031G

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: pour amplificateur audio. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15031. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Boîtier: TO-220. Résistance B: Transistor de puissance. Résistance BE: -150V. C (in): -8A. C (out): 50W. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: pour amplificateur audio. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15030G. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 250V. Courant de collecteur: 8A. Puissance: 50W. Fréquence maxi: 30MHz. Boîtier: TO-220

Transistor. Boîtier: TO-220. Marquage du fabricant: MJE15032G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 30 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 250V. Courant de collecteur: 8A. Puissance: 50W. Fréquence maxi: 30MHz. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15033

Transistor. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Tension collecteur-émetteur VCEO: -250V. Courant de collecteur: -8A. Puissance: 50W. Fréquence maxi: 30MHz. Boîtier: TO-220

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: TO-220. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-220. C (out): 2pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: pour amplificateur audio. Gain hFE maxi: 50. Gain hFE mini: 10. Courant de collecteur: 8A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15032. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 2.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Courant de collecteur: 4A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15035G. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 2.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 10. Courant de collecteur: 4A. Ic(puls): 8A. Remarque: transistor complémentaire (paire) MJE15034G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 350V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Vebo: 5V. Spec info: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 2.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 13 MHz. Fonction: Applications d'alimentation à découpage. Gain hFE maxi: 34. Gain hFE mini: 12. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 400us. Tf(min): 70us. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Vebo: 9V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE18004G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 450V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 13 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN