Transistors

Transistor. C (out): 300pF. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Gain hFE maxi: 18000. Gain hFE mini: 1000. Courant de collecteur: 50A. Ic(puls): 100A. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO-204 ). Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ11032

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ11033G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50A. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ15003G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 140V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 250W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 140V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15004

ROHS: Oui. Boîtier: TO3. Fréquence: 3MHz. Montage/installation: THT. Type de transistor: PNP. Polarité: bipolaire. Tension (collecteur - émetteur): 140V. Courant de collecteur Ic [A]: 20A. Puissance: 250W

Transistor. RoHS: oui. Résistance B: oui. Résistance BE: 70. C (in): TO-3. C (out): TO-204AA. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: Transistor de puissance. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 25. Courant de collecteur: 20A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 250W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 140V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15003. Diode BE: non. Diode CE: non. Ic(puls): 20A

Transistor. Résistance BE: 70. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 0.8 MHz. Courant de collecteur: 15A. Dissipation de puissance maxi: 180W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Spec info: Motorola. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Résistance BE: 70. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 0.8 MHz. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 10. Courant de collecteur: 15A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 180W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 6us. Tf(min): 4us. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15016. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ15015G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 6 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C

Transistor. C (out): 360pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 0.8 MHz. Courant de collecteur: 15A. Dissipation de puissance maxi: 180W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 0.8 MHz. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 10. Courant de collecteur: 15A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 180W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 6us. Tf(min): 4us. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 200V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15015. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ15016G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 18 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Famille de composants: transistor PNP haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Courant de collecteur: 16A. Dissipation de puissance maxi: 250W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15023. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: NPN. Vcbo: 350V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Audio haute puissance. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 16A. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15023. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. Diode BE: non. C (out): 3pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Courant de collecteur: 16A. Dissipation de puissance maxi: 250W. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15022. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: PNP. Vcbo: 350V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V

Transistor. C (out): 1.6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Audio haute puissance. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 16A. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15022. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 1.6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Audio haute puissance. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 16A. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15025. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ15024G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 16A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C

Transistor. C (out): 280pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Audio haute puissance. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 16A. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15024. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ15025G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 16A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Tension collecteur-émetteur VCEO: -250V. Courant de collecteur: -16A. Puissance: 250W. Fréquence maxi: 4 MHz. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ21193G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 16A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Famille de composants: transistor PNP haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ21194G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 16A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C

Transistor. C (out): 4pF. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Gain hFE maxi: 75. Gain hFE mini: 25. Courant de collecteur: 16A. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO-204AA ). Type de transistor: PNP. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ21196. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 2pF. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Gain hFE maxi: 75. Gain hFE mini: 25. Courant de collecteur: 16A. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO-204AA ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ21195. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 4pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2.5 MHz. Fonction: Applications de commutation et d'amplification. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 15A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 115W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N3055. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ2955G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2.5 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 115W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP