Transistors

Transistor. C (out): 0.8pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 3.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 800 MHz. Fonction: FM-V/M/O. Gain hFE maxi: 198. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 20mA. Marquage sur le boîtier: 15.8k Ohms. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Vebo: 4 v. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: hFE 20...90. Courant de collecteur: 3A. Remarque: T32. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 0.6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 11 MHz. Fonction: S-L. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 70W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: NPN. Vcbo: 210V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Courant de collecteur: 100A. Ic(puls): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Marquage sur le boîtier: 60T65PES. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 535W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 142ns. Td(on): 45 ns. Technologie: High Speed Fieldstop Trench IGBT, Second Generation. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.85V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 650V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: FET. Fonction: 0505-111646. Id (T=25°C): 1.4A. Idss (maxi): 1.4A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: SMD 5p.. Tension Vds(max): 30 v. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS QU

Transistor. C (out): 1pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Transistor haute tension pour CRT à définition standard. Gain hFE maxi: 8.5. Gain hFE mini: 5.5. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 15A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 57W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218FX. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 0.55pF. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Transistor haute tension pour CRT à définition standard. Gain hFE maxi: 7.5. Gain hFE mini: 5.5. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 15A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 57W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.25us. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218FX. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Vebo: 10V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 4pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: FAST-SWITCH. Gain hFE maxi: 7. Gain hFE mini: 4.5. Courant de collecteur: 12A. Ic(puls): 18A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 58W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 2.6us. Tf(min): 0.2us. Boîtier: ISOWATT218FX. Boîtier (selon fiche technique): TO-218-FX. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: FAST-SWITCH. Gain hFE maxi: 18. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 16A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 58W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 1.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Vebo: 7V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: ICM--16A (tp=5ms). Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Type de transistor: transistor NPN. Polarité: NPN. Quantité par boîtier: 2. Tension collecteur-émetteur VCEO: 50V. Courant de collecteur: 0.8A. Puissance: 0.46W. Boîtier: TO-78

Transistor. C (out): 1.6pF. Transistor Darlington?: non. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 64kHz. Fonction: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Date de production: 2014/17. Gain hFE maxi: 8.5. Gain hFE mini: 6. Courant de collecteur: 14A. Ic(puls): 21A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 62W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218FX. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1500V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (in): 1700pF. C (out): 184pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 430 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Id (T=100°C): 6.9A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 1uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 49W. Résistance passante Rds On: 0.45 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 76 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Fonction: SMPS, commutation à grande vitesse. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1650pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 355 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. Id (T=100°C): 6.9A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 1uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 49.6W. Résistance passante Rds On: 0.45 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 132 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 650V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Fonction: SMPS, commutation à grande vitesse. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 780pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 272 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 28nC, faible Crss 24pF. Id(imp): 36A. Id (T=100°C): 5.5A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 38W. Résistance passante Rds On: 0.72 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 38 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: +55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1160pF. C (out): 134pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 360ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 1uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: MDF9N60. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 48W. Résistance passante Rds On: 0.65 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 48 ns. Td(on): 31 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Fonction: SMPS, commutation à grande vitesse. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (out): 2.5pF. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 20A. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 175W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.6us. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO–204AE ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 650V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Vebo: 8V. Spec info: Q1 BE 100 Ohms, Q2 BE 15 Ohms. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 4pF. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: hFE 25. Courant de collecteur: 50A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO–204AE ). Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 7pF. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: hFE 75...1000. Courant de collecteur: 60A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO–204AE ). Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ11015G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C. Fréquence de coupure ft [MHz]: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Remarque: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 200W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ11016

ROHS: Oui. Boîtier: TO3. Puissance: 200W. Montage/installation: THT. Type de transistor: transistor darlington. Polarité: bipolaire. Tension (collecteur - émetteur): 120V. Courant de collecteur Ic [A]: 30A

Transistor. RoHS: oui. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): 4pF. C (out): TO-204AA. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Gain hFE mini: 1000. Courant de collecteur: 30A. Ic(puls): +200°C. Remarque: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Remarque: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 200W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO-204 ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ11015. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Polarité: PNP. Type: transistor Darlington. Tension collecteur-émetteur VCEO: -60V. Courant de collecteur: -50A. Puissance: 300W

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Gain hFE maxi: 18000. Gain hFE mini: 1000. Courant de collecteur: 50A. Ic(puls): 100A. Dissipation de puissance maxi: 300W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO-204 ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ11033

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJ11032G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50A. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C