Transistor MJE15035G

Transistor MJE15035G. Transistor. C (out): 2.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 10. Courant de collecteur: 4A. Ic(puls): 8A. Remarque: transistor complémentaire (paire) MJE15034G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 350V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Vebo: 5V. Spec info: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 13:25.