Transistors

Transistor. Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Polarité: PNP. Type: transistor Darlington. Tension collecteur-émetteur VCEO: -80V. Courant de collecteur: -4A. Puissance: 40W. Fréquence maxi: 1MHz. Boîtier: TO-126. Gain hFE min.: 750

Transistor. C (out): 1000pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Courant de collecteur: 1.5A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 1000pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Courant de collecteur: 1.5A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-225. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE800G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor. RoHS: non. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-225. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE803. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: NPN. Applications: commutation. Tension collecteur-émetteur VCEO: 1000V. Courant de collecteur: 5A. Puissance: 35W. Fréquence maxi: 13MHz. Boîtier: TO-220-F

Transistor. C (out): 80pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: (F). Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Résistance BE: 50. C (out): 156pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 13 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 18. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 35W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Vcbo: 1200V. Tension de saturation VCE(sat): 0.83V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Vebo: 10V. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. C (out): 1.7pF. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: hFE 45(min). Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 45. Courant de collecteur: 15A. Ic(puls): 25A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 260V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL3281A. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 2.3pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: NF-L, TO-264. Courant de collecteur: 15A. Dissipation de puissance maxi: 170W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 650V. Spec info: TO-3PBL. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 500pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: hFE=25 Min @ IC =8Adc. Gain hFE maxi: 75. Gain hFE mini: 25. Courant de collecteur: 16A. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO–3PBL. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL21194. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Gain hFE maxi: 75. Gain hFE mini: 25. Courant de collecteur: 16A. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO–3PBL. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL21193. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Type de transistor: transistor NPN. Polarité: NPN. Fonction: Amplificateur de puissance HIFI. Tension collecteur-émetteur VCEO: 250V. Courant de collecteur: 16A. Puissance: 200W. Boîtier: TO-264

Transistor. C (in): 30pF. C (out): 8pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 25. Courant de collecteur: 16A. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL21196. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 25. Courant de collecteur: 16A. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL21195. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: Transistor de puissance bipolaire complémentaire. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 45. Courant de collecteur: 15A. Ic(puls): 25A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 260V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL1302A. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Diode BE: non. Diode CE: non. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 35 MHz. Fonction: puissance audio, faible distorsion harmonique. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 50. Courant de collecteur: 15A. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 230W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL4302A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon Power Bipolar Transistor. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -60...+150°C. Vcbo: 350V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Vebo: 5V

Transistor. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 35 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 50. Courant de collecteur: 15A. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 230W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon Power Bipolar Transistor. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -60...+150°C. Vcbo: 350V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Vebo: 5V. Fonction: puissance audio, faible distorsion harmonique. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJL4281A. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: Transistor de puissance bipolaire complémentaire. Date de production: 201446. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 50. Courant de collecteur: 15A. Ic(puls): 25A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Vebo: 5V. Technologie: transistor bipolaire de puissance. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJW3281A. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Excellente linéarité de gain. Date de production: 2015/04. Gain hFE maxi: 80. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 16A. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJW21196. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Excellente linéarité de gain. Gain hFE maxi: 80. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 16A. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJW21195. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 2.8pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: Transistor de puissance bipolaire complémentaire. Date de production: 201444 201513. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 50. Courant de collecteur: 15A. Ic(puls): 25A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Vebo: 5V. Technologie: transistor bipolaire de puissance. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJW1302A. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Electronique automobile. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 6uA. Idss (min): 0.6uA. Marquage sur le boîtier: L2N06CL. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 5us. Td(on): 1us. Technologie: SMARTDISCRETES MOSFET Logic Level. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension Vds(max): 62V. Tension grille/source Vgs: 10V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: MOSFET HYBRID. Protection G-S: oui

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MMBF170. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 40pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 6Z. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 60pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C