Transistors

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-1. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.125W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: GE. Courant de collecteur: 0.15A. Remarque: >30. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 35V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 10W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8 MHz. Courant de collecteur: 1.5A. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 35V

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M17/J. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 90V/80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 10W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M17/J. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 10W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 20V/15V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D17/C. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.9W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 350 MHz. Fonction: hFE 120...240. Courant de collecteur: 1A. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Type de transistor: PNP. Vcbo: 25V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD468

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: usage général. Courant de collecteur: 0.1A. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Boîtier: SC-71. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D8/C. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/25V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 140 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 1A. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: B647. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD667. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 140 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 1A. Ic(puls): 2A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Type de transistor: PNP. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 27pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 140 MHz. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 1.5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD669A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 55. Courant de collecteur: 8A. Marquage sur le boîtier: B668. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 80W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD718

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 7 MHz. Courant de collecteur: 7A. Dissipation de puissance maxi: 80W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 170V

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V/60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 7A. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W

Transistor. C (out): 2.7pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Gain hFE maxi: 460. Gain hFE mini: 160. Courant de collecteur: 0.1A. Ic(puls): 0.2A. Marquage sur le boîtier: AQ. RoHS: non. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): MINI MOLD. Type de transistor: PNP. Vcbo: 25V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD601. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D8/C. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 35V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D17/C. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.9W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Courant de collecteur: 3A. Dissipation de puissance maxi: 10W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD882. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Courant de collecteur: 12A. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1047. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Résistance B: 10. Résistance BE: 47. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Courant de collecteur: 4A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: PNP. Vcbo: 70V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1133

Transistor. Résistance B: 10. Résistance BE: 47. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: transistor PNP. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 2A. Ic(puls): 5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1138. Diode BE: non. Diode CE: non