Transistor 2SB688

Transistor 2SB688. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 55. Courant de collecteur: 8A. Marquage sur le boîtier: B668. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 80W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD718. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 03:25.