Transistors

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D35/B. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 20V/15V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 5W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Fonction: usage général. Courant de collecteur: 0.05A. Dissipation de puissance maxi: 0.15W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Marquage du fabricant: silicium. Fréquence de coupure ft [MHz]: 0.03A. Plage de température de fonctionnement min (°C): PNP. Plage de température de fonctionnement max (°C): 30 v

Transistor. Résistance B: non. Diode BE: Transistor bipolaire PNP. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): D8A/C. Diode CE: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: usage général. Courant de collecteur: 1A. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V/35V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 5W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 90V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W

Transistor. Résistance B: non. Diode BE: Transistor bipolaire PNP. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-126. Diode CE: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Courant de collecteur: 1A. Dissipation de puissance maxi: 4W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 90V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: NF. Courant de collecteur: 0.05A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92L. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D18/C. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/32V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.75W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 1.5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2073. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: audio/vidéo. Courant de collecteur: 0.05A. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Spec info: hauteur 9mm

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: Processus PCT. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 80. Courant de collecteur: 0.8A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2235-Y. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 4pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 700. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 0.1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Vebo: 5V. Fonction: amplificateur audio à faible bruit. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2240. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: usage général. Courant de collecteur: 0.5A. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 1.5A. Ic(puls): 3A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2275

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Courant de collecteur: 0.2A. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/32V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 10W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor PNP Darlington. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 8W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M10/J. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W

Transistor. Résistance BE: 47. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 140 MHz. Courant de collecteur: 0.1A. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 140. Courant de collecteur: 2A. Remarque: sérigraphie/code CMS BF. Marquage sur le boîtier: BF. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1623S. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 2A. Remarque: sérigraphie/code CMS BF. Marquage sur le boîtier: BF. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Fonction: pilotes de moyenne puissance, de solénoïdes, de relais et d'actionneurs et modules DC/DC. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1623T. Diode BE: non. Diode CE: non