Transistors

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 55V/50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/35V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 7 MHz. Courant de collecteur: 8A. Dissipation de puissance maxi: 80W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V/40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/25V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V/40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor. C (out): 3.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 120. Courant de collecteur: 0.15A. Marquage sur le boîtier: C1710. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92S ( SPT SC-72 ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 7V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220C. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 15W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V/20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.15W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-18. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 70V/50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Courant de collecteur: 0.5A. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V

Transistor. Conditionnement: rouleau. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Courant de collecteur: 0.15A. Marquage sur le boîtier: C1815Y. Nombre de connexions: 3. Température: +120°C. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1015Y. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 1.6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 1200. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 0.05A. Marquage sur le boîtier: C1841. Nombre de connexions: 3. Température: +125°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+125°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.07V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W

Transistor. C (out): 1.6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 110 MHz. Fonction: Amplificateur audio HI-FI. Gain hFE maxi: 580. Gain hFE mini: 150. Courant de collecteur: 50mA. Marquage sur le boîtier: C1845. Equivalences: KSC1845. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.07V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: Samsung--0501-000354. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 20pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 340. Gain hFE mini: 85. Courant de collecteur: 1A. Ic(puls): 1.5A. Dissipation de puissance maxi: 5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial planar type'. Boîtier (selon fiche technique): TO-126B-A1. Type de transistor: NPN. Vcbo: 45V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 35V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor. RoHS: non. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2SC1875. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 500V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: C1881. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3A. Dissipation maximale Ptot [W]: 30W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor. C (out): 3pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Fonction: Sortie vidéo. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 30. Courant de collecteur: 0.05A. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Type de transistor: NPN. Vcbo: 250V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Vebo: 5V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 45 MHz. Courant de collecteur: 0.5A. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 470 MHz. Fonction: UHF-L. Courant de collecteur: 2A. Dissipation de puissance maxi: 8W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 35V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 175 MHz. Fonction: VHF-Tr/E. Courant de collecteur: 0.6A. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Boîtier: TO-220. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1