Transistor 2SB709

Transistor 2SB709. Transistor. C (out): 2.7pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Gain hFE maxi: 460. Gain hFE mini: 160. Courant de collecteur: 0.1A. Ic(puls): 0.2A. Marquage sur le boîtier: AQ. RoHS: non. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): MINI MOLD. Type de transistor: PNP. Vcbo: 25V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD601. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 02:25.