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IRF540NPBF-IR

Transistor canal N IRF540NPBF-IR, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1960pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 33A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Dissipation maximale Ptot [W]: 130W. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF540N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

2.84€

Quantité en stock: 1646

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IRF540NSPBF

Transistor canal N IRF540NSPBF, D²-PAK, TO-263, 100V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1960pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 33A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Dissipation maximale Ptot [W]: 130W. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F540NS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

2.36€

Quantité en stock: 592

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IRF540NSTRLPBF

Transistor canal N IRF540NSTRLPBF, D²-PAK, TO-263, 100V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1960pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 33A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 16A. Dissipation maximale Ptot [W]: 130W. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F540NS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

3.55€

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IRF620PBF

Transistor canal N IRF620PBF, TO-220AB, 200V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 260pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 5.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ 3.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF620PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.2 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.24€

Quantité en stock: 77

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IRF630NPBF

Transistor canal N IRF630NPBF, TO-220AB, 200V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 575pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 5.4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 74W. Délai de coupure tf[nsec.]: 27 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF630N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.9 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.89€

Quantité en stock: 850

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IRF640NSTRLPBF

Transistor canal N IRF640NSTRLPBF, D²-PAK, TO-263, 200V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1160pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 18A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F640NS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

5.91€

Quantité en stock: 340

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IRF7101PBF

Transistor canal N IRF7101PBF, SO8, 20V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 20V. Capacité de grille Ciss [pF]: 320pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 24 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F7101. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

1.77€

Quantité en stock: 29

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IRF7103PBF

Transistor canal N IRF7103PBF, SO8, 50V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Capacité de grille Ciss [pF]: 290pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ 3A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 70 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F7103. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

0.88€

Quantité en stock: 127

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IRF720PBF

Transistor canal N IRF720PBF, TO-220AB, 400V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Capacité de grille Ciss [pF]: 410pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF720PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.18€

Quantité en stock: 105

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IRF7301PBF

Transistor canal N IRF7301PBF, SO8, 20V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 20V. Capacité de grille Ciss [pF]: 660pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 4.1A/4.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.05 Ohms @ 2.6A/2.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 32 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F7301. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

0.83€

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IRF7317TRPBF

Transistor canal N IRF7317TRPBF, SO8, 30V/-30V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Capacité de grille Ciss [pF]: 900/780pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 6.6A / -5.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.058 Ohms @ 6/-2.9A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 57/63 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Marquage du fabricant: F7317. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12/22 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -...

1.77€

Quantité en stock: 351

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IRF7343PBF

Transistor canal N IRF7343PBF, SO8, 55V/-55V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V/-55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 740/690pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 4.7A/-3.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.105 Ohms @ 4.7/-3.4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 48/64 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Marquage du fabricant: F7343. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12/22 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

2.95€

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IRF7389PBF

Transistor canal N IRF7389PBF, SO8, 30V/-30V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Capacité de grille Ciss [pF]: 650/710pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 5.9A/-4.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.058 Ohms @ 5.8/-4.9A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.6W. Délai de coupure tf[nsec.]: 26/34 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Marquage du fabricant: F7389. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.1 ns/13 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

1.77€

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IRF740LC

Transistor canal N IRF740LC, TO-220AB, 400V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1100pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 10A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF740LC. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

2.66€

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IRF740SPBF

Transistor canal N IRF740SPBF, D²-PAK, TO-263, 400V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1400pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 10A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 50 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF740SPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

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IRF7468PBF

Transistor canal N IRF7468PBF, SO8, 40V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2460pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 9.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0015 Ohms @ 9.4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F7468. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.6 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

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IRF840APBF

Transistor canal N IRF840APBF, TO-220AB, 500V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1018pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 26 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF840APBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

3.55€

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IRF840ASPBF

Transistor canal N IRF840ASPBF, D²-PAK, TO-263, 500V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1018pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 26 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF840ASPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

2.36€

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IRF840SPBF

Transistor canal N IRF840SPBF, D²-PAK, TO-263, 500V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 49 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRF840SPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

2.13€

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IRF9952PBF

Transistor canal N IRF9952PBF, SO8, 30V/-30V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Capacité de grille Ciss [pF]: 190/190pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.5A/-2.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms/025 Ohms @ 2.2/-1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 26/40 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Marquage du fabricant: F9952. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns/19 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

1.47€

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IRF9952QPBF

Transistor canal N IRF9952QPBF, SO8, 30V/-30V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Capacité de grille Ciss [pF]: 190/190pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.5A/-2.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms/0.4 Ohms @ 1/-0.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 26/40 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Marquage du fabricant: F9952Q. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns/19 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

1.77€

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IRFB4710PBF

Transistor canal N IRFB4710PBF, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 6160pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 75A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 45A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 41 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFB4710PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 35 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5.5V...

4.14€

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IRFBE30PBF

Transistor canal N IRFBE30PBF, TO-220AB, 800V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Charge: 78nC. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 4.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 2.5A. Courant de drain: 4A, 2.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 82 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFBE30PBF. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Polarité: unipolaire. Puissance: 125W. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 3 Ohms. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension drain - source: 800V. Tension grille-source: ±20V. Type de transistor: N-MOSFET...

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IRFBF30PBF

Transistor canal N IRFBF30PBF, TO-220AB, 900V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1200pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 2.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 90 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFBF30PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

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