Transistor canal N IRFBE30PBF, TO-220AB, 800V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Charge: 78nC. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 4.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 2.5A. Courant de drain: 4A, 2.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 82 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFBE30PBF. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Polarité: unipolaire. Puissance: 125W. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 3 Ohms. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension drain - source: 800V. Tension grille-source: ±20V. Type de transistor: N-MOSFET. Produit d'origine constructeur: Vishay (ir). Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14