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ATF-55143-TR1GHEMT

Transistor canal N ATF-55143-TR1GHEMT, SOT-343, 5V. Boîtier: SOT-343. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 5V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: -. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.27W. Délai de coupure tf[nsec.]: -. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 5Fx. Nombre de bornes: 4. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: -. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 0.37V...

7.69€

Quantité en stock: 8

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BF998-215

Transistor canal N BF998-215, SOT-143B, 12V. Boîtier: SOT-143B. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 12V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2.5pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 30mA. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: -. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Délai de coupure tf[nsec.]: -. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BF998. Nombre de bornes: 4. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: -. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

3.75€

Quantité en stock: 106

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BFR31-215-M2

Transistor canal N BFR31-215-M2, SOT-23, 25V, 5mA. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 25V. Courant de drain Idss [A] @ Ug=0V: 5mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Famille de composants: Transistor JFET à canal N. Marquage du fabricant: M2. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de point d'arrêt grille-source Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +10V...

4.14€

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BS170G

Transistor canal N BS170G, TO-92, 60V. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 60pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 0.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BS170G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

0.44€

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BS170_D27Z

Transistor canal N BS170_D27Z, TO-92, 60V. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 24pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.83W. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BS170_D27Z. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

0.44€

Quantité en stock: 3703

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BSN20-215

Transistor canal N BSN20-215, SOT-23, TO-236AB, 50V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Capacité de grille Ciss [pF]: 25pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.173A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 15 Ohms @ 0.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.83W. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BSN20. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.5V...

0.47€

Quantité en stock: 1045

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BSP125

Transistor canal N BSP125, SOT-223, 600V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Capacité de grille Ciss [pF]: 130pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.12A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 45 Ohms @ 0.12A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.7W. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BSP125. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V...

1.17€

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BSP135

Transistor canal N BSP135, SOT-223, 600V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Capacité de grille Ciss [pF]: 146pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 60 Ohms @ 0.01A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.8W. Délai de coupure tf[nsec.]: 42 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BSP135. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.1 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.1V...

2.31€

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BSP295H6327

Transistor canal N BSP295H6327, SOT-223, 60V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 368pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ 1.8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.8W. Délai de coupure tf[nsec.]: 41 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BSP295. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.1 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.8V...

1.77€

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BSP297

Transistor canal N BSP297, SOT-223, 200V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 300pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 0.65A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 160 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BSP297. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.8V...

0.88€

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BSP89H6327

Transistor canal N BSP89H6327, SOT-223, 240V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 240V. Capacité de grille Ciss [pF]: 140pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.35A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.35A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.8W. Délai de coupure tf[nsec.]: 24 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BSP89. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.8V...

1.26€

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BSS123-E6327

Transistor canal N BSS123-E6327, SOT-23, 100V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 20.9pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.19A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ 0.15A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 11 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 'SAs'. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 3.5 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.8V...

0.21€

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BSS123-FAI

Transistor canal N BSS123-FAI, SOT-23, 100V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 40pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.17A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: SA. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

0.27€

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BSS123LT1G

Transistor canal N BSS123LT1G, SOT-23, TO-236AB, 100V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 100V. : 'enhanced'. Capacité de grille Ciss [pF]: 20pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Courant de drain: 0.17A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: SA. Montage/installation: SMD. Nombre de bornes: 3. Polarité: unipolaire. Puissance: 0.225W. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 6 Ohms. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.6V. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: ±20V. Type de transistor: N-MOSFET...

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BSS126H6327

Transistor canal N BSS126H6327, SOT-23, 600V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Capacité de grille Ciss [pF]: 28pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.021A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 500 Ohms @ 0.016A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: SHS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.2 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.7V...

0.65€

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BSS131

Transistor canal N BSS131, SOT-23, 240V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 240V. Capacité de grille Ciss [pF]: 77pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: SRs. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 5 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.8V...

0.24€

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BSS138-SS

Transistor canal N BSS138-SS, SOT-23, 50V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Capacité de grille Ciss [pF]: 27pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 200mA. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Délai de coupure tf[nsec.]: 36ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: SS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 5 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

0.21€

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BSS138LT1G-J1

Transistor canal N BSS138LT1G-J1, SOT-23, TO-236AB, 50V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Capacité de grille Ciss [pF]: 50pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: J1. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.5V...

0.29€

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BSS139H6327

Transistor canal N BSS139H6327, SOT-23, TO-236AB, 250V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 250V. Capacité de grille Ciss [pF]: 76pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.03A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 30 Ohms @ 15mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: STs. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.7 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.4V...

1.18€

Quantité en stock: 6000

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BSS670S2LH6327XTSA1

Transistor canal N BSS670S2LH6327XTSA1, SOT-23, 55V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 75pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.54A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.43 Ohm @ 0.27A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.36W. Délai de coupure tf[nsec.]: 31 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.6V...

0.74€

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BTS132

Transistor canal N BTS132, TO-220AB, 60V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1400pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 24A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 12A. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Délai de coupure tf[nsec.]: 250 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BTS132. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 40 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V...

14.21€

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BTS3205G

Transistor canal N BTS3205G, SO8, 42V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 42V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.9 Ohms @ 0.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.78W. Délai de coupure tf[nsec.]: 45us. Famille de composants: low-side MOSFET. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 38us. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -...

2.95€

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BTS3205N

Transistor canal N BTS3205N, SOT-223, 42V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 42V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.9 Ohms @ 0.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.78W. Délai de coupure tf[nsec.]: 45us. Famille de composants: low-side MOSFET. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 38us. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -...

2.95€

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BTS4141N

Transistor canal N BTS4141N, SOT-223, 45V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 45V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 0.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.4W. Délai de coupure tf[nsec.]: 150us. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BTS4141N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 100us. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -...

7.49€

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