Transistor canal N BS170G, TO-92, 60V. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 60pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 0.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BS170G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Produit d'origine constructeur: Onsemi. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 22:31