Transistor canal N BSS123LT1G, SOT-23, TO-236AB, 100V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 100V. : 'enhanced'. Capacité de grille Ciss [pF]: 20pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Courant de drain: 0.17A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: SA. Montage/installation: SMD. Nombre de bornes: 3. Polarité: unipolaire. Puissance: 0.225W. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 6 Ohms. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.6V. Tension drain - source: 100V. Tension grille-source: ±20V. Type de transistor: N-MOSFET. Produit d'origine constructeur: Onsemi. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 22:31