Transistor canal N BTS132, TO-220AB, 60V

Transistor canal N BTS132, TO-220AB, 60V

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Transistor canal N BTS132, TO-220AB, 60V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1400pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 24A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 12A. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Délai de coupure tf[nsec.]: 250 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BTS132. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 40 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Produit d'origine constructeur: Infineon. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 19:01

BTS132
16 paramètres
Boîtier
TO-220AB
Tension drain-source Uds [V]
60V
Capacité de grille Ciss [pF]
1400pF
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de drain Id (A) @ 25°C
24A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.055 Ohms @ 12A
Dissipation maximale Ptot [W]
75W
Délai de coupure tf[nsec.]
250 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
BTS132
Nombre de bornes
3
RoHS
non
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
40 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
2.5V
Produit d'origine constructeur
Infineon