Transistor canal N BSS123-E6327, SOT-23, 100V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 20.9pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.19A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ 0.15A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 11 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 'SAs'. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 3.5 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.8V. Produit d'origine constructeur: Infineon. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 22:31