Transistor canal N BTS3205G, SO8, 42V
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Transistor canal N BTS3205G, SO8, 42V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 42V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.9 Ohms @ 0.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.78W. Délai de coupure tf[nsec.]: 45us. Famille de composants: low-side MOSFET. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 38us. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -. Produit d'origine constructeur: Infineon. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 21:51
BTS3205G
13 paramètres
Boîtier
SO8
Tension drain-source Uds [V]
42V
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
0.6A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
1.9 Ohms @ 0.2A
Dissipation maximale Ptot [W]
0.78W
Délai de coupure tf[nsec.]
45us
Famille de composants
low-side MOSFET
Nombre de bornes
8
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
38us
Température maxi
+150°C.
Produit d'origine constructeur
Infineon