Transistor canal N BSN20-215, SOT-23, TO-236AB, 50V

Transistor canal N BSN20-215, SOT-23, TO-236AB, 50V

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Transistor canal N BSN20-215, SOT-23, TO-236AB, 50V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Capacité de grille Ciss [pF]: 25pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.173A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 15 Ohms @ 0.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.83W. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BSN20. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.5V. Produit d'origine constructeur: Nxp. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 22:31

Documentation technique (PDF)
BSN20-215
17 paramètres
Boîtier
SOT-23
Boîtier (norme JEDEC)
TO-236AB
Tension drain-source Uds [V]
50V
Capacité de grille Ciss [pF]
25pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
0.173A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
15 Ohms @ 0.1A
Dissipation maximale Ptot [W]
0.83W
Délai de coupure tf[nsec.]
15 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
BSN20
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
8 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
3.5V
Produit d'origine constructeur
Nxp