Transistor canal N BSP125, SOT-223, 600V

Transistor canal N BSP125, SOT-223, 600V

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Transistor canal N BSP125, SOT-223, 600V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Capacité de grille Ciss [pF]: 130pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.12A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 45 Ohms @ 0.12A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.7W. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BSP125. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Produit d'origine constructeur: Infineon. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 23:36

Documentation technique (PDF)
BSP125
16 paramètres
Boîtier
SOT-223
Tension drain-source Uds [V]
600V
Capacité de grille Ciss [pF]
130pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
0.12A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
45 Ohms @ 0.12A
Dissipation maximale Ptot [W]
1.7W
Délai de coupure tf[nsec.]
21 ns
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
BSP125
Nombre de bornes
3
RoHS
non
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
8 ns
Température maxi
+150°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
2.5V
Produit d'origine constructeur
Infineon