Transistor canal N BSP295H6327, SOT-223, 60V. Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 368pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ 1.8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.8W. Délai de coupure tf[nsec.]: 41 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BSP295. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.1 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.8V. Produit d'origine constructeur: Infineon. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 22:31